Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN1110ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN1110
TPN1110ENH,L1Q Hakkında
TPN1110ENH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim (Vdss) ve 7.2A sürekli drain akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN paket tipi ve Surface Mount montaj özelliği ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. 114mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 39W maximum güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. 7nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok