Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN11006PL,LQ
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN11006PL
TPN11006PL,LQ Hakkında
TPN11006PL,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 26A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN (3.1x3.1mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 11.4mΩ (10V, 13A'da) düşük RDS(on) değeri sayesinde verimli anahtarlama sağlar. ±20V gate gerilimi desteği ve 175°C işletme sıcaklığı aralığıyla endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü devrelerinde tercih edilir. 17nC gate charge değeri hızlı anahtarlama karakteristiğini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1625 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 610mW (Ta), 61W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok