Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN11006NL,LQ
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN11006NL
TPN11006NL,LQ Hakkında
TPN11006NL,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-TSON PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (11.4mOhm @ 10V) karakteristiği sayesinde verimli güç dönüştürme sağlar. Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve anahtaramalı güç elektronik devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilmesi, kompakt form faktörü ile birleştiğinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında değerli bir seçenek haline getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok