Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN11003NL
TPN11003NL,LQ Hakkında
TPN11003NL,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 8-TSON Advance paketlemesi ile yüksek yoğunluk ve ısıl yönetim gerektiren uygulamalara uygun kompakt bir çözümdür. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok