Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPHR9003NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP

Üretici: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paket/Kılıf: 8-PowerVDFN
Kategori: Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
Seri / Aile Numarası: TPHR9003NL

TPHR9003NL,L1Q Hakkında

Toshiba TPHR9003NL,L1Q, N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 60A sürekli drain akımı (Id @ 25°C) kapasitesine sahiptir. 8-PowerVDFN (8-SOP Advance 5x5) yüzey montajlı paket ile sunulur.

Bu MOSFET, 0.9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4.5V-10V sürülme gerilimi aralığında çalışır ve maksimum ±20V gate-source gerilimini tolere eder. Vgs(th) eşik gerilimi 2.3V'tur.

Yüksek akım uygulamalarında güç denetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar. Aktif üretim durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre	Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6900 pF @ 15 V
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150°C (TJ)
Package / Case	8-PowerVDFN
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	8-SOP Advance (5x5)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok