Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPHR6503PL1,LQ

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TPHR6503

TPHR6503PL1,LQ Hakkında

TPHR6503PL1,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. UMOS9 teknolojisini kullanan bu FET, 30V drain-source voltajında 150A sürekli drenaj akımı sağlamaktadır. 8-PowerTDFN (5x5.75) yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, 0.65mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 210W kanal sıcaklığında güç dağıtım kapasitesine sahiptir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen ve 175°C işletme sıcaklığına dayanabilen bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 110nC gate charge ve 10nF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta), 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.65mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5.75)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok