Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPH9R506PL,LQ

MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
TPH9R506PL

TPH9R506PL,LQ Hakkında

TPH9R506PL,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 34A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8-PowerVDFN (5x5) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 9.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık dirençli tasarıma sahiptir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile güvenli çalışma sınırları sunar. 2.5V eşik voltajı ve 21nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Tipik kullanım alanları arasında güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları yer almaktadır. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında 81W güç dağılabilir (Tc koşullarında).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1910 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 830mW (Ta), 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 200µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok