Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH8R80ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH8R80ANH
TPH8R80ANH,L1Q Hakkında
TPH8R80ANH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ile 32A sürekli drenaj akımı sağlamaktadır. 8-PowerVDFN (8-SOP Advance 5x5) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 8.8mΩ (10V, 16A) on-state direnci ile düşük güç kaybı gerçekleştirir. 33nC gate charge ve 2800pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında, maksimum 61W (Tc) güç tüketimine sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±20V Vgs çalışma aralığı geniş tasarım esnekliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 61W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok