Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH7R506NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH7R506NH
TPH7R506NH,L1Q Hakkında
TPH7R506NH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ile 22A sürekli drenaj akımına kapasiteleri vardır. 8-PowerVDFN (8-SOP Advance 5x5) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 7.5mOhm maksimum on-direnç değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 10V gate kontrol gerilimi altında kullanılabilir, maksimum ±20V gate-source gerilimi toleransına sahiptir. Gate şarjı 31nC olup giriş kapasitansi 2320pF'dir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında ve 45W ısı dağılımı kapasitesinde çalışır. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2320 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok