Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPH7R006PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
TPH7R006PL

TPH7R006PL,L1Q Hakkında

Toshiba TPH7R006PL,L1Q, N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 60A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 13.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 8-PowerVDFN (5x5) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, switched-mode güç kaynakları (SMPS) ve diğer endüstriyel güç kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate voltajı aralığında çalışır ve 175°C'ye kadar sıcaklıkta işletilabilir. Hızlı anahtarlama ve verimli güç yönetimi gerektiren uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1875 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 200µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok