Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH6R30ANL,L1Q
MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH6R30ANL
TPH6R30ANL,L1Q Hakkında
TPH6R30ANL,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 66A (Ta) / 45A (Tc) sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 6.3mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 8-SOP Advance (5x5) paket tipi ile yüzey monte teknolojisini destekler. Güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate-source gerilimi aralığında ve 150°C işletme sıcaklığında güvenli şekilde çalışır. 55nC gate charge ve 4300pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 66A (Ta), 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 22.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok