Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPH6400ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
TPH6400

TPH6400ENH,L1Q Hakkında

TPH6400ENH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source geriliminde 13A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 64mOhm RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 8-SOP (5x5) yüzey montaj paketinde sunulan TPH6400, güç dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. ±20V gate gerilim kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama alanlarını destekler. 1.6W (Ta) ve 57W (Tc) güç hüzme kapasitesi ile orta güç uygulamalarında tercih edilen bir transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 300µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok