Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH5R906NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH5R906NH
TPH5R906NH,L1Q Hakkında
TPH5R906NH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 28A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 5.9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOP (5x5) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponentin maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Gate charge değeri 38nC olup hızlı komutasyon uygulamalarında kullanılabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok