Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH5900
TPH5900CNH,L1Q Hakkında
TPH5900CNH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source geriliminde 9A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, 59mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç özellikleri sunar. 8-PowerVDFN (5x5mm) yüzey montajı paketinde kullanılan transistör, 150°C çalışma sıcaklığında 1.6W güç dağıtımı yapabilir. ±20V kapı-kaynak gerilim aralığı ve 7nC gate charge ile kontrol devresi tasarımında esneklik sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok