Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH5200FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH5200
TPH5200FNH,L1Q Hakkında
TPH5200FNH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltaj aralığında 26A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta ve yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 52mΩ (10V, 13A koşullarında) on-resistance değeri ile verimli güç anahtarlaması sağlar. 22nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Surface mount 8-PowerVDFN (5x5mm) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücüler, çevrimsiz güç kaynakları (SMPS), motor kontrol devreleri ve güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V gate-source voltaj toleransı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama alanı vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok