Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH4R803PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH4R803PL
TPH4R803PL,LQ Hakkında
TPH4R803PL,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 48A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.8mOhm maksimum On-direnci (10V, 24A koşullarında) düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. ±20V gate-source gerilim aralığı ve 2.1V threshold voltajı kontrollü anahtarlama için uygun parametreler sunar. 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1975 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok