Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH4R606NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH4R606NH
TPH4R606NH,L1Q Hakkında
TPH4R606NH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 32A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-state direnci (4.6mΩ @ 16A, 10V) ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 8-PowerVDFN (8-SOP Advance 5x5) yüzey montaj paketinde sunulan TPH4R606NH, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 4V gate threshold voltajı ile kontrol devreleri tarafından kolayca yönetilebilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3965 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok