Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH4R50ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH4R50ANH
TPH4R50ANH,L1Q Hakkında
TPH4R50ANH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında güç anahtarlaması ve sürücü işlevleri görmek üzere tasarlanmıştır. 4.5mOhm (@ 30A, 10V) on-resistance değeri ile verimli iletim sağlar. 8-PowerVDFN paket tipi, kompakt PCB tasarımlarına uygun olup yüzey montajlıdır. ±20V gate gerilim aralığı ve 58nC gate charge karakteristikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir şekilde çalışır. DC-DC dönüştürücüler, motor denetim devreleri, güç yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok