Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH4R50ANH1,LQ
MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH4R50ANH1
TPH4R50ANH1,LQ Hakkında
TPH4R50ANH1,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 4.5mOhm on-state direncinde 46A akım taşıyabilir. 92A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında, 58nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. SOP-ADV paket tipinde surface mount montajı destekler. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışır ve 4V threshold voltajına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 92A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5.75) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok