Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH4R10ANL,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH4R10ANL
TPH4R10ANL,L1Q Hakkında
TPH4R10ANL,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 92A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.1mOhm maksimum on-direnç değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 8-PowerVDFN (8-SOP) yüzey montajlı pakette sunulur. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve -40°C ile 150°C arasında işletilme sıcaklığına sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dağıtım sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 92A (Ta), 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6.3 nF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 67W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok