Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH4R008NH
TPH4R008NH,L1Q Hakkında
TPH4R008NH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 60A sürekli drenaj akımı (Id) özelliklerine sahiptir. 4mOhm maksimum On-Rezistansı (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount teknolojisi ile 8-PowerVDFN paketinde sunulur. ±20V Kapı gerilim aralığında çalışır. Kapı eşik gerilimi maksimum 4V'dur. 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenli şekilde işletilir. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları ve yük anahtarlama uygulamalarında kullanılan endüstriyel seviye bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok