Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3R506PL,LQ
MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3R506PL
TPH3R506PL,LQ Hakkında
Toshiba TPH3R506PL,LQ, N-channel MOSFET transistör olup 60V drain-source gerilimi ve 94A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerVDFN (5x5) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 3.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 175°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir ve 116W ısıl güç yayma kapasitesine sahiptir. Gate threshold gerilimi 2.5V olup ±20V gate gerilim aralığında güvenli çalışır. Endüstriyel sürücü devreleri, güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 94A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4420 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Ta), 116W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 47A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok