Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPH3212PS

GANFET N-CH 650V 27A TO220AB

Üretici
Transphorm
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TPH3212

TPH3212PS Hakkında

TPH3212PS, Transphorm tarafından üretilen 650V N-Channel GaNFET transistördür. TO-220AB paketinde sunulan bu komponent, 27A sürekli dren akımı ve 72mOhm (Rds On @ 17A, 8V) ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 650V Vdss derecelendirmesi ile güç dönüştürme, invertör ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu GaNFET teknolojisi transistörü, düşük kapasitans (1130 pF @ 400V) sayesinde hızlı anahtarlama özelliği gösterir. ±18V Vgs maksimum gate voltajı ile geniş kontrol aralığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 17A, 8V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Vgs (Max) ±18V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 400uA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok