Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3208PD
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3208PD
TPH3208PD Hakkında
TPH3208PD, Transphorm tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 650V drain-source voltajında 20A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Düşük on-resistance (130mOhm @ 13A, 8V) ile verimli güç iletimi sağlar. TO-220-3 paket formatında olan bu transistör, endüstriyel güç kaynakları, solar inverterler, motor sürücüleri ve AC-DC dönüştürücü uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. GaN teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük kapasitans özellikleri ile enerji verimliliği artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok