Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3208LSG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3208
TPH3208LSG Hakkında
TPH3208LSG, Transphorm tarafından üretilen 650V N-channel GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) transistördür. 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj ve güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 130mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sunar. Surface mount 3-PQFN paket formatında sunulan TPH3208LSG, 96W güç disipasyon kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu GaN teknolojisi transistörü, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve frekans dönüştürücülerde kullanılır. 42nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama kabiliyeti sağlar. Lütfen ürün seçimi öncesinde datasheet'i inceleyiniz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 14A, 8V |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok