Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3208LD
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3208LD
TPH3208LD Hakkında
TPH3208LD, Transphorm tarafından üretilen GaN (Gallium Nitride) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 130mΩ (8V, 13A koşullarında) maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp karakteristiği sunar. 4-PowerDFN (8x8) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürücüleri, inverterler, AC-DC adaptörleri ve hızlı şarjlama sistemlerinde uygulanır. ±18V maksimum gate gerilimi ve 2.6V gate eşik gerilimi ile kontrol ve anahtarlama işlemlerinde güvenilir performans sağlar. Maksimum 96W güç dissipasyonu kapasitesiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
| Supplier Device Package | 4-PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok