Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3207WS
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3207WS
TPH3207WS Hakkında
TPH3207WS, Transphorm tarafından üretilen 650V 50A kapasiteli N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (41mOhm @ 32A, 8V) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 178W maksimum güç disipasyon kapasitesi, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 42nC gate charge karakteristiği ile yüksek frekanslı ve yüksek verimli konvertör tasarımlarında tercih edilir. Endüstriyel güç kaynakları, PFC devreleri ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2197 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 178W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 32A, 8V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.65V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok