Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3206PSB
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3206
TPH3206PSB Hakkında
TPH3206PSB, Transphorm tarafından üretilen N-channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 650V Drain-Source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (180mOhm @ 10A, 8V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Yüksek frekanslı DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 6.2nC ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Düşük input kapasitans (720pF @ 480V) sayesinde sürücü devresi tasarımı basitleştirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 480 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 81W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 8V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok