Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPH3206PD

GANFET N-CH 600V 17A TO220AB

Üretici
Transphorm
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TPH3206P

TPH3206PD Hakkında

TPH3206PD, Transphorm tarafından üretilen 600V N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 17A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 180mOhm maksimum açılış direnci (Rds On) ile güç elektronikleri uygulamalarında verimli çalışmayı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve düşük kapı yükü (9.3 nC) özelliği ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, inverterler ve motorlar için uygun bir seçenektir. ±18V gaz-kaynağı voltaj dayanımı ve hızlı anahtarlama karakteristiği sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir. Bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 480 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 8V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) ±18V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok