Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3206LSGB
GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3206
TPH3206LSGB Hakkında
TPH3206LSGB, Transphorm tarafından üretilen N-channel GaNFET (Gallium Nitride) transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 16A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 3-PowerDFN (8x8mm) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun. Endüstriyel invertörler, adaptörler, şarj cihazları ve güç dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Maksimum 81W güç kaybı toleransı vardır. Gate charge 6.2nC olup hızlı anahtarlama özellikleri destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 480 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 81W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 8V |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok