Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3206LSB
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3206
TPH3206LSB Hakkında
TPH3206LSB, Transphorm tarafından üretilen 650V N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) MOSFETtir. 16A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface mount PQFN 8x8 paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme, DC-DC konvertörler, invertörler ve solar uygulamalarında tercih edilir. ±18V maksimum kapı-kaynak gerilimi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. GaN teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama, düşük kapasitans ve yüksek verimlilik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 480 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 81W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 8V |
| Supplier Device Package | PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok