Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPH3206LS

GANFET N-CH 600V 17A PQFN

Üretici
Transphorm
Paket/Kılıf
TO-277
Seri / Aile Numarası
TPH3206LS

TPH3206LS Hakkında

TPH3206LS, Transphorm tarafından üretilen GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 180mOhm maksimum on-resistance (8V, 11A koşullarında) ile yüksek verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 96W maksimum güç dissipasyonu ve düşük gate charge (9.3nC) özellikleriyle, güç dönüştürme, invertör ve DC-DC regülatör devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface mount PQFN 8x8 paketi ile PCB entegrasyonu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 480 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 3-PowerDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 8V
Supplier Device Package PQFN (8x8)
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) ±18V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok