Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3206LDGB
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3206L
TPH3206LDGB Hakkında
TPH3206LDGB, Transphorm tarafından üretilen N-Channel Gallium Nitride (GaN) FET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 180mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. GaN teknolojisi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. PQFN 8x8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücü, invertör, DC-DC konvertör ve enerji yönetim sistemleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 480 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 81W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 8V |
| Supplier Device Package | PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok