Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3206LDG-TR
GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3206LDG
TPH3206LDG-TR Hakkında
TPH3206LDG-TR, Transphorm tarafından üretilen 600V N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı güç transistörüdür. 17A sürekli drenaj akımı ve 180mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek verimlilik sağlar. 9.3nC gate charge ve 760pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 3-PowerDFN (8x8) paket formatında sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount montajı ile kompakt tasarımlara uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 480 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 8V |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok