Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3206LDB
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3206LDB
TPH3206LDB Hakkında
TPH3206LDB, Transphorm tarafından üretilen 650V GaN (Gallium Nitride) Field Effect Transistor'dür. N-Channel konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, 16A sürekli dren akımı kapasitesine ve 180mΩ maksimum drain-source direncine (RDS(on)) sahiptir. 10V gate sürücü voltajında çalışan bu transistör, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında hızlı komütasyon ve düşük kayıp özellikleri sunar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Güç kaynakları, motorlu aygıtlar, DC-DC konvertörleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. PQFN 8x8 yüzey montajlı paketle sunulmaktadır. Not: Bu ürün artık üretim dışı durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 480 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 81W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 8V |
| Supplier Device Package | PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok