Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3205WSBQA
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3205
TPH3205WSBQA Hakkında
TPH3205WSBQA, Transphorm tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. 62mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu FET, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama hızı ve enerji verimliliği gerektiren DC-DC dönüştürücüler, güç invertörleri, motor sürücüleri ve benzer uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 22A, 8V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok