Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3202PD
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3202
TPH3202PD Hakkında
TPH3202PD, Transphorm tarafından üretilen bir GaNFET (Gallium Nitride) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 600V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 350mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. 9.3nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunarak anahtarlama kayıplarını azaltır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve motorlu uygulamalar gibi endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 480 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 5.5A, 8V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok