Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH3202LD
GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH3202LD
TPH3202LD Hakkında
TPH3202LD, Transphorm tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 350mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 4-PQFN (8x8) yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 65W güç yayınlayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 480 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 5.5A, 8V |
| Supplier Device Package | 4-PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok