Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH2R608NH,L1Q
MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH2R608NH
TPH2R608NH,L1Q Hakkında
TPH2R608NH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) transistördür. 75V drain-source gerilim kapasitesine sahip olan bu bileşen, 150A sürekli drenaj akımı sağlayarak güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN (5x5) yüzey montajlı pakette sunulan transistör, 2.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sunar. ±20V gate gerilim toleransı ve 4V gate-source eşik gerilimi ile çalıştırılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 142W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. SMPS (Switched Mode Power Supplies), DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 142W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok