Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH2R408QM,L1Q
MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH2R408QM
TPH2R408QM,L1Q Hakkında
TPH2R408QM,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.43mΩ on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve 175°C'ye kadar işletme sıcaklığına dayanır. 210W termal güç yönetim kapasitesi ile yüksek akımlı devrelerde etkin performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8300 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.43mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok