Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH2R306NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH2R306NH
TPH2R306NH,L1Q Hakkında
TPH2R306NH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOP (5x5mm) yüzey monte paketinde sunulan bu FET, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 2.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 150°C maksimum işletme sıcaklığında stabil performans gösterir. Güç elektronikleri, motor kontrol, LED sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4V threshold gerilimi ile güvenli gate kontrol özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok