Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH2R306NH1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH2R306NH1
TPH2R306NH1,LQ Hakkında
TPH2R306NH1,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 136A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.3mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. UMOS9 teknolojisine dayanan bu bileşen, güç yönetimi, motor sürücüleri, güç dönüştürücüler ve DC-DC konvertörleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. 170W ısıl yayılım kapasitesi ve -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. 8-PowerTDFN (5x5.75) surface mount paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 136A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5.75) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok