Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPH2R003PL,LQ

MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
TPH2R003PL

TPH2R003PL,LQ Hakkında

TPH2R003PL,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 100A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN (5x5) SMD paketinde sunulan transistör, 2mΩ maksimum RDS(on) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilir ve 175°C'ye kadar sıcaklıkta kullanılabilir. Gate charge 86nC ve input capacitance 6410pF olarak belirtilmiştir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, LED kontrol sistemleri ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6410 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 830mW (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok