Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH2900
TPH2900ENH,L1Q Hakkında
TPH2900ENH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ve 33A sürekli dren akımı (Id) ile güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. 29mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4V eşik gerilimi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok