Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH2010FNH
TPH2010FNH,L1Q Hakkında
Toshiba TPH2010FNH,L1Q, 250V drain-source voltaj kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. Maksimum 5.6A sürekli drain akımı ve 198mΩ RDS(on) değeriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-pin PowerVDFN paket içinde sunulan bu bileşen, düşük jenerasyon ısısı (42W @ Tc) ve 150°C çalışma sıcaklığı ile dc-dc konvertörleri, güç yönetimi devrelerinde ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate voltaj aralığı ve 7nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok