Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH1R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH1R712MD
TPH1R712MD,L1Q Hakkında
TPH1R712MD,L1Q, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile maksimum 60A sürekli dren akımı sağlayabilir. 8-PowerVDFN (5x5) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 1.7mOhm on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 78W güç dağıtabilir ve -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Kapı eşik gerilimi (Vgs(th)) 1.2V olup, kontrol gerilimi ±12V aralığında uygulanabilir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve ters kutuplu MOSFET konfigürasyonlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 182 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10900 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 30A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok