Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH1R306PL
TPH1R306PL,L1Q Hakkında
TPH1R306PL,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN (5x5) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (1.34mΩ @ 50A, 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. ±20V gate gerilimi aralığı ve 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarında, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.34mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok