Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH1R306PL1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH1R306PL1
TPH1R306PL1,LQ Hakkında
Toshiba TPH1R306PL1,LQ, UMOS9 teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 100A sürekli drenaj akımı sağlayabilen, 1.34mΩ (50A, 10V koşullarında) on-state direncine sahip bir güç transistörüdür. 8-PowerTDFN (5x5.75) yüzey montajlı pakette sunulan bileşen, 210W (Tc) güç dissipasyonu kapasitesine ve 175°C maksimum çalışma sıcaklığına sahiptir. Gate charge değeri 91nC (@10V) olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özelliktedir. 4.5V ve 10V drive voltajlarında minimal on-resistance değerleriyle optimize edilmiştir. Endüstriyel güç yönetimi, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.34mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5.75) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok