Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH1R306P1,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH1R306P1
TPH1R306P1,L1Q Hakkında
TPH1R306P1,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 100A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 8-PowerVDFN (8-SOP Advance 5x5) yüzey montaj paketinde sunulur. 10V gate voltajında 1.28mOhm çok düşük açık durum direnci (Rds On) ile yüksek akım uygulamalarında verimli çalışır. 91nC gate yükü ve 8100pF giriş kapasitansiyle hızlı anahtarlama özellikleri sunar. ±20V maksimum gate-source voltajı toleransına sahiptir. Güç yönetimi, motor kontrolü, solenoid sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu MOSFET, 175°C maksimum çalışma sıcaklığında ve 960mW yüksüz güç dağılımında tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.28mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok