Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH12008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH12008NH
TPH12008NH,L1Q Hakkında
TPH12008NH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj dayanımı ve 24A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 12.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerVDFN (8-SOP Advance 5x5) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrol ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate voltaj aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında işletme kapasitesine sahiptir. 22nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok